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功率器件产业高速度增长华羿MOSFET先赢一步

2021-07-23 来源:泰州机械信息网

功率器件产业高速度增长,华羿MOSFET先赢一步!

【哔哥哔特导读】针对电池容量提高或者大电流充电的技术方式来说,合适的功率半导体选型是很必要的。最近,西安华羿微电子旗下的多款功率器件产品,可帮你避免在选型分析时的琐碎麻烦,其中就包括有应用在充电器、电池保护板、电子开关、电机驱动全系列的产品。

当今,在电子化爆发式需求的驱动下,MOSFET等功率半导体正在经历一个高速发展期。根据IHS Markit的数据,2020年全球功率半导体市场规模为422亿美元,同比增长4.6%,其中,中国功率半导体市场规模为153亿美元,同比增长6.3%。

不出意外,未来几年在全球5G基础建设、电动汽车、工控设备、消费类电子以及芯片涨价等因素推动下,功率器件产业将以较高速度增长。

这时,如果要细说国内对MOSFET等功率半导体有殷切需求的一个领域,那么电动工具无疑是占据了非常重要的一席之地。而且伴随着国家号召的“十四五”智能制造之路发展,电动工具的市场规模在持续扩大,相当于MOSFET等功率半导体的创新技术要求正变得越来越严苛。

同样不可忽视的是,电动工具的配套设备作为细分产业链的一环,它们的性能方面也要非常讲究,如针对电池容量提高或者大电流充电的技术方式来说,合适的功率半导体选型是很必要的。

最近,西安华羿微电子旗下的多款功率器件产品,可帮你避免在选型分析时的琐碎麻烦,其中就包括有应用在充电器、电池保护板、电子开关、电机驱动全系列的产品。

据了解,华羿微电一直以来专注于功率器件的研发和设计,而且具备独立的功率器件芯片设计能力和自主的特色工艺技术平台。目前已有已有沟槽MOSFET、SGT MOS、super juncton MOS以及IGBT等工艺技术和产品,并形成了具有自主知识产权的核心技术体系。

这次在电动工具产品应用领域分别采用SOP8、PDFN5*6-8L、TO系列封装外形,以供用户选型时作参考。

充电器 该有高功率模式的都有

作为一款定位高功率的MOSFET,让充电器转换效率更高的功能自然是必需的。多种产品型号分别支持60V、100V、115V以及150V的最大值电压范围,不仅做到更低的导通电阻(Rdson)及更低的Qgd,还能够有效提升电源功率密度,解决电动工具在充电时面临散热、损耗等应用痛点。

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电池保护板 自动均衡

众所周知,电池在过度过充、过放的状态下可能会损坏电池的性能,严重的话甚至会产生爆炸的风险。所以则要求电池保护板应具备自动均衡的保护作用,可以及时选择耗能或转能的方式,更好的保护产品设备。

假设现在过充、过放、过流、短路和高温充放电的情况出现,华羿在该领域的多款优质MOSFET配合使用的控制IC可及时控制器件进行开关或闭合。此外,该些器件由于通过华羿内部器件分析、失效分析和应用验证等多道可靠性保证测试工序,自然在行业内的综合性能指数是领先的。

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电子开关 各有特色

以HYG045P06LA1B型号为例,该款P沟道增强型MOSFET特性为-60V、导通电阻(Rdson)为3.9mΩ、属于TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,可完美应用在防反接,DC/DC电源管理系统,而且具备负载切换模式。

再者,以另一HYG400P10LR1P型号为例,该款P沟道增强型MOSFET的特性则为-100V,导通电阻(Rdson)为42mΩ、属于TO-220FB-3L封装产品,虽然是同样采用Trench流片工艺,但得益于其强大的性能指标,可在应用于便携式设备和电池动力系统、DC/DC电源管理系统、电机控制以及更多电子开关等。

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逆变器 满足多种质量需求

逆变器是一种可将直流电转变成交流电的器件,但是在这工作过程中它本身势必会消耗部分电力,从而影响器件的转换效率、安全性能以及稳定性等等。因此很大程度上需要配合MOSFET来调整输出功率与输入功率之比。

目前在电动工具配套设备领域,提供电能的电池往往存在损耗和转换率低的情况,甚至也有充电速度过慢的现象。这时,华羿旗下优质的MOSFET产品对于设计工程师来说,可针对性地解决这些质量痛点。

该系列的产品整体特性耐冲击性好,而且在小封装体积下也能保持极低的Rdson,同时具备高的抗雪崩能力,可以有效提高配件的转换效率、安全性能、物理性能、负载适应性以及稳定性。

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结语

实际上,MOSFET因其出色的产品特性,不仅是在电动工具领域有发展潜力,在其他领域也有优异的表现。如汽车电子、5G基站、家用电器、消费电子等领域。

作为新生力量功率半导体技术IC设计及独有的封测技术的企业,华羿微电现在已形成以芯片设计、整体应用DEMO方案及领先的技术研发和产品创新为核心竞争力的业务体系,已量产的产品达到200余种,自主产品主要分为沟槽型功率MOSFET(中/低压)、超结功率MOSFET(高压)、屏蔽栅沟槽型功率MOSFET(SGT)(中/低压)和绝栅双极型晶体管(IGBT)等系列,在封装技术上更是拥有多种高可靠性功率器件封装技术、智能功率模块封装技术、第三代半导体封装技术、BGBM与CP技术、大功率IGBT封装技术、Cu-clip封装技术以及超薄芯片封装技术。

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